Peningkatan aktiviti penyelidikan dalam bidang bahan semikonduktor yang berjurang jalur lebar kebelakangan ini adalah disebabkan oleh keperluan untuk peranti elektronik yang mampu beroperasi pada kuasa yang lebih tinggi, suhu tinggi dan persekitaran melampau, serta keperluan untuk bahan optik khususnya dalam aplikasi optoelektronik atau fotonik seperti pemancar serta pengesan cahaya atau fotodiod yang aktif pada kawasan spektrum yang berjarak gelombang pendek (ultraungu/biru). Semikonduktor III-Nitrida atau juga disebut sebagai III-V Nitrida seperti galium nitrida (GaN), aluminium nitrida (AlN), aloi terner dan kuartener (AlGaN, InGaN, AlInGaN) yang mempunyai jurang jalur lebar telah mendapat perhatian yang luas untuk kegunaan praktikal dalam peranti optoelektronik berjarak gelombang pendek seperti diod pemancar cahaya (LED), laser, pengesan cahaya, dan peranti elektronik seperti pengesan gas yang beroperasi pada suhu tinggi, dan transistor yang berkuasa tinggi dan berfrekuensi tinggi. Selain itu, indium nitrida (InN) amat berpotensi untuk digunakan dalam aplikasi sel solar.